思想与社会2024 · 分享于 Hacker News

High-Temperature and High-Electron Mobility Mosfet Based on N-Type Diamond

探索《High-Temperature and High-Electron Mobility Mosfet Based on N-Type Diamond》的原文与 Hacker News 社区讨论,查看来源并加入阅读清单。

阅读原文

看看社区如何讨论这个想法。

来自 Hacker News 的原始讨论。不同的视角、疑问,以及值得继续思考的线索。

最多展示 100 条相关讨论。论文可能出现在评论中,并非原帖投稿内容。

在讨论中发现的引用

按 HN 条目顺序展示最近的 50 条引用来源。

Ywglb ·

First N-channel diamond field-effect transistor for CMOS integrated circuits

49 赞同7 评论
Yrbanffy ·

First N-channel diamond field-effect transistor for CMOS integrated circuits

22 赞同2 评论
Ybirriel ·

Researchers in Japan have created the first "n-channel" diamond-based transistor

10 赞同1 评论
Yanticensor ·

High-Temperature and High-Electron Mobility Mosfet Based on N-Type Diamond

4 赞同1 评论

一个想法,引向另一个。

发现更多论文